인텔, 하이-NA EUV 설치 완료…1나노 경쟁 신호탄

[이데일리 김응열 기자] 인텔이 내년부터 하이(High)-NA 극자외선(EUV) 노광장비를 도입하며 1나노미터(nm) 반도체 경쟁에 불을 댕긴다.

인텔이 하이-NA 극자외선(EUV) 장비 설치를 완료했다. (사진=인텔)

인텔 파운드리는 미국 오리건주 힐스보로 공장에 하이-NA EUV 장비를 설치했다고 19일 밝혔다.

이 장비는 ‘슈퍼 을(乙)’로 불리는 네덜란드 반도체 장비회사 ASML이 생산한 것으로, 2나노 이하 초미세 회로구현에 필요하다. 인텔이 지난 2월 업계 최초로 납품받았다.

마크 필립스(Mark Phillips) 인텔 펠로우는 “하이-NA EUV 추가로 업계에서 가장 다방면의 노광 장비를 보유하게 됐다”며 “내년 이후 인텔 18A(1.8나노급)를 넘어 미래 공정을 추진할 역량을 갖추게 됐다”고 설명했다.

인텔은 이 장비를 이용해 기존 EUV 장비 대비 최대 1.7배 미세한 노광이 가능할 것으로 본다. 반도체 칩 집적도는 2.9배 향상될 전망이다. 인텔은 시간당 웨이퍼 생산량도 늘어날 것으로 봤다.

인텔은 이 장비의 여러 조정 단계를 진행 중이다. 이후 첨단 공정 로드맵에 활용할 예정이다. 올해 하반기 양산 예정인 1.8나노급 공정에서 제품 검증 등 테스트를 추진하고 2027년 양산하는 1.4나노급 공정에도 이용할 계획이다.

파운드리 강화에 나선 인텔은 외부 고객사 확보를 비롯해 생산역량 확보에도 적극 나서고 있다. 지난 2022년부터 현재까지 미국 오하이오, 독일 마그데부르크, 아일랜드 레익슬립 등 신규 반도체 생산 시설과 미국 애리조나주 챈들러 소재 생산시설 확충 등에 약 930억달러(약 123조6500억원)를 투자했다.