삼성전자 "올해 HBM 생산량 3배 이상 확대…HBM4 집중"

[이데일리 김소연 기자] 삼성전자가 올해 인공지능(AI) 가속기에 필수적인 반도체인 고대역폭메모리(HBM) 생산량을 지난해 대비 3배 이상 늘릴 방침이다. 전체 HBM에서 절반은 HBM4에 집중한다는 계획도 제시했다. 후속작인 HBM5와 HBM5E는 삼성 파운드리 2나노 공정으로 개발할 예정이다.

황상준 삼성전자 메모리개발담당 부사장은 16일(현지시간) 미국 캘리포니아주 새너제이에서 개막한 엔비디아의 연례 개발자회의 ‘GTC 2026’ 삼성전자 전시장에서 기자들과 만나 HBM과 관련해 “가파르게 램프업(증산)을 하고 있고 (생산에) 크게 문제는 없다”고 말했다.

올해 HBM 생산량을 지난해 보다 3배 이상 늘리겠다고 예고했다. 그러면서 “전체 HBM에서 HBM4를 절반 이상 가져가는 것이 목표”라고 언급했다. HBM 공급이 전반적으로 부족한 상황에서 프리미엄 제품에 집중하겠다는 뜻으로 읽힌다.

엔비디아 젠슨 황 최고경영자(CEO)가 16일(현지시간) 미국 새너제이에서 개막한 'GTC 2026' 현장에서 삼성전자 부스를 방문해 기념촬영을 하고 있다. 왼쪽부터 황상준 삼성전자 메모리개발담당 부사장, 엔비디아 젠슨 황 CEO, 한진만 삼성전자 파운드리 사업부장 사장.(사진=삼성전자)

이날 삼성전자는 GTC 전시장에서 7세대 HBM인 HBM4E 실물 칩을 공개했다. 향후 차세대 칩 계획도 제시했다. 황 부사장은 현재 양산을 시작한 HBM4와 HBM4E의 ‘베이스 다이’(HBM 맨 아래 탑재되는 핵심 부품)는 같은 4나노 공정이지만, 후속작인 HBM5·5E는 삼성 파운드리의 2나노 공정으로 개발할 예정이라고 했다.

그는 HBM5·5E에 쓰이는 ‘코어 다이’는 10나노급 1c(6세대), 1d(7세대)를 쓰게 된다면서 “원가 부담은 있으나 HBM이 지향하는 제품과 개념을 맞추려면 선단 공정 활용이 불가피하다”고 설명했다. 아울러 삼성전자는 엔비디아의 차세대 AI 칩 출시 시기와 맞춰 HBM 출시도 1년 주기로 낼 계획이다.

삼성 파운드리에서 만들게 될 추론 전용칩 그록3는 삼성전자 평택 캠퍼스에서 생산한다. 황 부사장은 그록3를 올해 3분기 말에서 4분기 초에 양산을 시작하는 것을 목표로 하고 있으며, 이미 예상보다 많은 주문이 들어왔다고 했다.

황 부사장은 그록이 엔비디아와 라이선스 계약을 맺기 이전에도 삼성 파운드리의 고객이었다는 사실도 전했다. 그록이 엔비디아와 계약을 맺으면서 삼성 파운드리와의 관계가 끊어질 것을 우려했으나, 엔비디아도 제품에 만족해 생산 체제를 유지하기로 했다는 것이다.