ASML 주도 글로벌 컨소시엄 참여 6→12인치 공동 연구·표준 개발 노광 면적 넓혀 생산성·원가 개선 2년후 D램 양산에 하이-NA EUV 도입
[이데일리 최오현 기자] 삼성전자가 세계 최대 반도체 장비업체 ASML과 손잡고 수년간 업계 표준으로 자리한 6인치 포토마스크를 12인치로 확대하는 제조 표준 개발에 나선다. 차세대 노광장비인 고(高)개구수 극자외선(하이-NA EUV)과 12인치 마스크를 함께 활용해 초미세 공정의 틀을 바꾸겠다는 것이다. 오는 2028년에는 업계 최초로 D램 양산에 이를 적용한다는 방침이다.
삼성전자는 8일 ASML이 주도하는 ‘대형 마스크 컨소시엄’에 참여한다고 밝혔다. 사진은 지난 7월 서울 강남구 서초동 삼성전자 서초사옥. (사진=연합뉴스)
삼성전자는 8일 ASML이 주도하는 ‘대형 마스크 컨소시엄’에 참여한다고 밝혔다. 컨소시엄은 지난 수십년간 반도체 노광 공정에 사용됐던 6인치 포토마스크를 12인치로 전환하기 위한 것이다. 반도체 제조기업의 EUV 장비 확보는 기술 패권의 핵심인 초미세 공정으로 진입하기 위한 가장 중요한 조건으로 꼽힌다. SK하이닉스 역시 이번 컨소시엄 참여를 검토하고 있다.
포토마스크는 웨이퍼에 새길 미세회로 패턴을 담은 정밀한 틀이다. 노광장비로 빛을 이용해 포토마스크에 담긴 회로 패턴이 웨이퍼에 전사한다. 하이-NA EUV는 기존 EUV보다 미세한 패터닝이 가능한 대신 같은 크기의 포토마스크를 사용하면 한 번에 노광할 수 있는 면적은 줄어든다. 반도체 업계는 넓은 면적의 포토마스크를 사용할 경우 회로를 한 번에 웨이퍼에 새길 수 있어 생산성을 향상하고 제조 비용을 절감할 수 있을 것으로 기대하고 있다.
최근 반도체 회로 설계가 복잡해지면서 하이-NA EUV 도입은 로직 공정뿐만 아니라 첨단 메모리 제조에도 필수적이다. 삼성전자는 2028년까지 첨단 D램 양산 공정에 하이-NA EUV를 도입할 계획이다. 2020년 업계 최초로 EUV를 D램 양산에 적용한 경험을 바탕으로 하이-NA EUV 역시 조기 양산 체계에 안착시킨다는 목표다.
전영현 삼성전자 부회장은 “AI 시대의 도래는 반도체 산업 패러다임을 바꾸고 있다”며 “ASML과 협력을 통해 ‘넥스트 AI’ 기술 기반을 마련할 것”이라고 했다.
