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시장조사업체 카운터포인트의 브래디 왕 부국장은 “미국이 GAA 제조할 수 있는 동맹국들을 규합해 중국 반도체 설계 회사들을 위해 생산하지 않도록 할 가능성이 있다”고 말했다.
최근 블룸버그통신은 소식통을 인용해 미국 정부가 GAA와 고대역폭 메모리(HBM) 등 최첨단 반도체 기술에 대한 중국의 접근 제한 조치를 논의하고 있다고 전했다.
GAA는 반도체 트랜지스터를 더 작고 효율적으로 만드는 기술이다. 채널을 완전히 둘러싸는 게이트 구조로, 성능 향상, 전력 효율, 공정 단순화 등이 강점으로 꼽힌다. 삼성전자는 지난 2022년 업계 최초로 3나노 공정에 GAA를 도입했다. TSMC는 내년 2나노 공정에 도입을 계획 중이다.
이 같은 미국의 반도체 제재에 대응해 중국은 국가적으로 자체 반도체 역량 강화를 추진하고 있다. 중국은 지난해 6월 장수썽 난징에 전자설계자동화(EDA)를 위한 국가기술혁신센터를 설립하고 기술 로드맵에 GAA 설계 장비를 추가했다고 SCMP는 전했다.
대만 시장분석업체 트렌드포스는 “현재 중국은 GAA를 활용한 반도체 설계 역량은 없으나 SJ반도체나 JCET 같은 중국 본토의 패키징·조립 회사들은 CoWos를 할 역량이 있다”고 답했다.
CoWoS는 TSMC가 자체 개발한 ‘2.5D 패키징’이다. 칩과 기판 사이에 인터포저라는 얇은 막을 삽입해, 패키징 면적을 줄이고 칩 간 연결성을 높인 것이 특징이다. 특히 AI 분야에서 가장 각광받는데, AI 가속기에 고성능 시스템반도체와 HBM를 함께 집적해야 하기 때문이다.
UBS 대만의 랜디 에이브럼스 대만 연구 책임자는 “미국의 새로운 규제가 스마트폰에 사용되는 반도체를 제한할지는 불확실하지만, 중국 설계 회사들이 GAA의 대안으로 3나노까지 작동하는 기존 핀펫 아키텍처를 사용하고 좀 더 큰 다이(웨이퍼에서 잘라낸 반도체 칩의 개별 단위)를 사용하는 것으로 성능 격차를 메울 수 있을 것”이라고 말했다.
