삼성전자, ‘28나노 FD-SOI’ 공정 기반 eM램 출하

경기 기흥에 위치한 삼성전자 파운드리 생산라인 전경 (사진=삼성전자)

[이데일리 김종호 기자] 삼성전자(005930)가 ‘28나노 FD-SOI(완전 공핍형 실리콘 온 인슐레이터) 공정기반 eMRAM(eM램)’ 솔루션 제품을 출하하며 미래 반도체 시장 선점에 시동을 걸었다.

삼성전자 파운드리 사업부는 D램의 빠른 속도와 플래시(Flash)의 비휘발성의 장점을 모두 가진 28나노 FD-SOI 공정 기반 eM램을 처음 출하하고 양산에 돌입했다고 6일 밝혔다.

eM램은 SoC(System on Chip)에 내장된 형태의 M램이다. M램은 자성 물질 구조를 이용한 비휘발성 메모리로 빠른 속도는 물론 낮은 소비전력과 강한 내구성이 특징이다. D램과 플래시의 장점을 결합한 제품으로 미래 반도체 중 하나로 꼽힌다.

사물인터넷(IoT) 기기 등 소형 전자제품에 사용되는 기존 플래시 기반 내장형 메모리는 데이터 기록 시 먼저 저장돼 있던 데이터를 삭제하는 과정을 거치기 때문에 속도와 전력효율 측면에서 단점이 있었다. 반면 eM램의 경우 데이터 기록 시 삭제 과정이 필요 없어 기존 플래시보다 약 1000배 빠른 쓰기 속도를 구현한다. 필요한 동작 전압도 낮아 전력 효율도 뛰어나다.

삼성전자는 28나노 FD-SOI 공정 기반 eM램 출하에 이어 연내 1Gb eM램 테스트칩 생산을 시작하는 등 내장형 메모리 솔루션을 지속 확대해 차별화된 파운드리 경쟁력을 갖추겠다는 구상이다.

이상현 삼성전자 파운드리사업부 전략마케팅팀 상무는 “이번에 출하한 eM램은 D램과 플래시의 기술을 합쳐 전력을 적게 소모하면서 속도도 매우 빠르고 소형화가 쉬우면서도 가격까지 저렴한 차세대 내장 메모리”라며 “이미 검증된 삼성전자 파운드리의 로직 공정에 eM램을 확대 적용해 차별화된 경쟁력과 뛰어난 생산성으로 고객과 시장 요구에 대응해 나갈 것”이라고 말했다.