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TLC는 한 개의 셀(Cell)에 3개의 정보(비트 단위)를 저장하는 낸드플래시를 의미하는데, 정보 저장량이 늘어날수록 같은 면적에 더 많은 데이터를 저장할 수 있다.
SK하이닉스는 이번 제품 개발 과정에서 생산 효율이 높은 ‘3-플러그’ 공정 기술을 도입해 적층 한계를 극복했다. 이 기술은 세 번에 나누어 플러그 공정을 진행한 후 최적화된 후속 공정을 거쳐 3개의 플러그를 전기적으로 연결하는 방식이다.
SK하이닉스는 이 과정에서 플러그 안에 채우던 물질을 바꿔서 변형을 줄인 저변형 소재를 개발하고, 플러그 간 자동 정렬 보정 기술을 도입했다. 회사 기술진은 이전 세대인 238단 낸드의 개발 플랫폼을 321단에도 적용해 공정 변화를 최소화함으로써 이전 세대보다 생산성을 59% 향상시켰다.
이번 321단 제품은 기존 세대 대비 데이터 전송 속도는 12%, 읽기 성능은 13% 향상됐다. 데이터 읽기 전력 효율도 10% 이상 높아졌다. SK하이닉스는 321단 낸드로 인공지능(AI)향 저전력 고성능 신규 시장에도 적극 대응해 활용 범위를 점차 넓혀갈 계획이다.
최정달 SK하이닉스 부사장(낸드개발담당)은 “300단 이상 낸드 양산에 가장 먼저 돌입하면서 AI 데이터센터용 SSD, 온디바이스 AI 등 AI 스토리지(저장장치) 시장을 공략하는 데 유리한 입지를 점하게 됐다”며 “고대역폭메모리(HBM)로 대표되는 D램은 물론이고 낸드에서도 초고성능 메모리 포트폴리오를 완벽하게 갖춘 ‘풀스택 AI 메모리 프로바이더(Provider)’로 도약할 것”이라고 말했다.
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